Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1013HSR5
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230-4S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1013
MMRF1013HSR5 Hakkında
MMRF1013HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual kanal LDMOS RF transistörüdür. 2.9 GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 65V nominal gerilim sınıflandırması ile tasarlanmıştır. 320W çıkış gücü kapasitesi ve 13.3dB kazanç özellikleri ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmaktadır. Test koşullarında 30V gerilim ve 100mA akım değerlerinde karakterize edilmiştir. NI-1230-4S paketi içerisinde sunulan bu LDMOS transistörü, RF güç amplifikatörleri, GSM/CDMA mobil haberleşme sistemleri ve endüstriyel RF uygulamalarında yer almaktadır. Ürün şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 2.9GHz |
| Gain | 13.3dB |
| Package / Case | NI-1230-4S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 320W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4S |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok