Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1013HR5
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-979A
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1013
MMRF1013HR5 Hakkında
MMRF1013HR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual kanal LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistörüdür. 2.9GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 65V anma gerilimi ve 320W çıkış gücüne sahiptir. 13.3dB kazanç seviyesi ile kuvvetli sinyallerin işlenmesine olanak tanır. SOT-979A paketinde sunulan bileşen, RF amplifikatörleri, kablosuz haberleşme sistemleri ve yüksek frekans güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. 100mA test akımı ve 30V test gerilimi ile karakterize edilen MMRF1013HR5, endüstriyel ve telekomünikasyon uygulamalarında tercih edilen bir RF güç transistörüdür. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Frequency | 2.9GHz |
| Gain | 13.3dB |
| Package / Case | SOT-979A |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 320W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4H |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok