Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1009HSR5
FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1009
MMRF1009HSR5 Hakkında
MMRF1009HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS teknolojisine dayalı bir RF MOSFET transistördür. 1.03 GHz frekansında çalışan bu bileşen, 500W çıkış gücü ve 19.7dB kazanç özelliğine sahiptir. 110V nominal gerilim ile derecelendirilmiş ve NI-780S paketinde sunulmaktadır. GSM, CDMA, tetraband ve diğer mobil haberleşme uygulamalarında kullanılan bu transistör, yüksek verim ve doğrusal kazanç karakteristikleri nedeniyle RF güç amplifikatörü tasarımlarında tercih edilir. 50V test gerilimi ve 200mA test akımında değerlendirilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 200 mA |
| Frequency | 1.03GHz |
| Gain | 19.7dB |
| Package / Case | NI-780S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 500W |
| Supplier Device Package | NI-780S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 110 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok