Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1008GHR5
PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780GH-2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1008
MMRF1008GHR5 Hakkında
MMRF1008GHR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen pulse lateral N-channel LDMOS RF power transistördür. 50V test voltajında 275W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 900MHz ile 1.215GHz frekans bandında 20.3dB kazanç sunar. 100V rated voltajda çalışabilen transistör, NI-780GH-2L paketinde sunulmaktadır. Hücresel iletişim sistemleri, broadcast uygulamaları ve endüstriyel RF amplifikatör tasarımlarında kullanılan yüksek frekans güç amplifikasyon uygulamalarına uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 100 mA |
| Current Rating (Amps) | 100µA |
| Frequency | 900MHz ~ 1.215GHz |
| Gain | 20.3dB |
| Package / Case | NI-780GH-2L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 275W |
| Supplier Device Package | NI-780GH-2L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 100 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok