Transistörler - FET, MOSFET - RF

MMRF1007HSR5

FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S

Paket/Kılıf
NI-1230-4S
Seri / Aile Numarası
MMRF1007

MMRF1007HSR5 Hakkında

MMRF1007HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS RF transistördür. 1.03GHz frekansında çalışan bu RF transistörü, 110V nominal gerilim ve 1000W çıkış gücü ile tasarlanmıştır. 20dB kazanç özelliğine sahip olan bileşen, NI-1230-4S paketi içinde sunulmaktadır. 150mA test akımı ve 50V test gerilimi değerleriyle belirtilmiştir. FM yayın, mobil iletişim ve endüstriyel RF amplifikatör uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 150 mA
Frequency 1.03GHz
Gain 20dB
Package / Case NI-1230-4S
Part Status Active
Power - Output 1000W
Supplier Device Package NI-1230-4S
Transistor Type LDMOS (Dual)
Voltage - Rated 110 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok