Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1007HR5
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-979A
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1007HR5
MMRF1007HR5 Hakkında
MMRF1007HR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS RF transistörüdür. 1.03GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 110V nominal gerilim değeri ile 1000W çıkış gücü sağlayabilir. 20dB kazanç özelliğine sahip transistör, NI-1230-4H paket formatında sunulmaktadır. RF güç amplifikatör uygulamaları, broadcast sistemleri ve endüstriyel RF düzeneklerinde kullanılan yüksek frekans bileşenidir. 150mA test akımı ve 50V test gerilimi ile karakterize edilen bu transistör, kritik RF enerji aktarımı gerektiren sistemlerde tercih edilir. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Frequency | 1.03GHz |
| Gain | 20dB |
| Package / Case | NI-1230-4H |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 1000W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4H |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 110 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok