Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1006HSR5
FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230S-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1006HSR5
MMRF1006HSR5 Hakkında
MMRF1006HSR5, NXP Semiconductors tarafından üretilen LDMOS tipi RF transistördür. 120V depolama voltajında 450MHz frekansında çalışan bu dual kanal FET, 1000W çıkış gücü sağlayarak RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 20dB kazanç ile radyo frekans cihazları, broadcast amplifikatörleri ve haberleşme ekipmanlarında yer bulur. NI-1230S-4 paketi ile sunulan bileşen, son sipariş (Last Time Buy) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Frequency | 450MHz |
| Gain | 20dB |
| Package / Case | NI-1230S-4 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 1000W |
| Supplier Device Package | NI-1230S-4 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 120 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok