Transistörler - FET, MOSFET - RF
MMRF1006HR5
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-979A
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMRF1006HR5
MMRF1006HR5 Hakkında
MMRF1006HR5, Rochester Electronics tarafından üretilen LDMOS tabanlı RF güç transistörüdür. 450 MHz frekans aralığında çalışan bu FET transistör, 1000W çıkış gücü kapasitesi ile yüksek güçlü RF uygulamalarında kullanılır. 120V nominal voltaj ve 50V test voltajı ile tasarlanmış olup, 20dB kazanç sağlar. SOT-979A paket tipi ile entegre edilen MMRF1006HR5, broadcast, mobil baz istasyonları ve endüstriyel RF güç amplifikasyon sistemlerinde yer bulur. 150 mA test akımı ile belirtilen bu bileşen, yüksek frekanslı güç amplifikasyon devrelerinde frekans çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 150 mA |
| Frequency | 450MHz |
| Gain | 20dB |
| Package / Case | SOT-979A |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 1000W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4H |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 120 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok