Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMJT350T1G

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
MMJT350T1G

MMJT350T1G Hakkında

MMJT350T1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı PNP bipolar junction transistördür. 300V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-223 yüzey montaj paketine sahip olan bu transistör, 650mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile analog anahtarlama, sürücü devreleri ve düşük frekans amplifikatör uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. TO-261-4 paket konfigürasyonu kompakt tasarımlar için avantaj sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 650 mW
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Transistor Type PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok