Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

MMDT5551-7

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
MMDT5551

MMDT5551-7 Hakkında

MMDT5551-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen çift NPN BJT transistör dizisidir. Tek bir SOT-363 (6-TSSOP) paket içinde iki bağımsız NPN transistör barındırır. 160V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 200mA kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 300MHz transition frequency özellikleri ile sinyallemesi ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 200mW maksimum güç tüketimi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) nedeniyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir. Yüksek entegrasyon yoğunluğu sunan yüzey montaj paketlemesi, kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirmektedir. Ses amplifikasyonu, kontrol devreleri ve lojik seviyesi dönüşüm uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Market
Power - Max 200mW
Supplier Device Package SOT-363
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok