Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
MMDF3N03HDR2
MOSFET 2N-CH 30V 4.1A 8-SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- MMDF3N03
MMDF3N03HDR2 Hakkında
MMDF3N03HDR2, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET dizisidir. 30V Drain-Source geriliminde 4.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate yapısıyla düşük gerilim lojik devrelerle doğrudan çalıştırılabilir. 70mΩ on-resistance değeri (3A, 10V koşullarında) ile güç disipasionu minimize edilir. 16nC gate charge ve 630pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücü ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 2W güç disipasiyon kapasitesi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 24V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok