Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

MMDF2C03HDR2G

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
MMDF2C03

MMDF2C03HDR2G Hakkında

MMDF2C03HDR2G, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel ve P-Channel MOSFET'ten oluşan entegre bir transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj derecesi ile bu komponent, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. 4.1A (N-Channel) ve 3A (P-Channel) sürekli dren akımı kapasitesi ile kontrol devrelerinde, motor sürücülerinde, güç yönetimi ve sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltajlı kontrol sinyalleriyle doğrudan sürülebilir. 8-SOIC yüzey montajlı paket formatında sunulan bu komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 2W güç tüketimi ve 70mOhm on-resistance değerleri ile enerji verimli tasarımlar için uygundir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 24V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok