Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

MMBTH24-7-F

RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBTH24

MMBTH24-7-F Hakkında

MMBTH24-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. 40V kollektör-emiter kırılma gerilimi ve 400MHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 50mA kollektör akımı ve 300mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük gürültü RF amplifikatörleri, karıştırıcılar, anahtarlama uygulamaları ve VHF bant çalışmalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Tek transistor çözümleri gerektiren kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 8mA, 10V
Frequency - Transition 400MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok