Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

MMBTH24

RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBTH24

MMBTH24 Hakkında

MMBTH24, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörlüdür ve RF uygulamaları için tasarlanmıştır. Very high frequency bandında çalışan bu bileşen, 400MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu gerçekleştirir. Maksimum 50mA kollektör akımı ve 30V Vce breakdown voltajı ile RF devrelerinde, televizyon tuner uygulamalarında, radyo frekans ön kademelerinde ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. Kompakt SOT-23-3 (TO-236) SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar ve maksimum 225mW güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 8mA, 10V
Frequency - Transition 400MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok