Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBTH11-FS
RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBTH11
MMBTH11-FS Hakkında
MMBTH11-FS, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar RF transistörüdür. 650MHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 50mA kolektör akımı ve 225mW güç kapasitesiyle, 25V reverse bias dayanımına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, RF amplifikatörler, osilatörler ve yüksek frekans anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok