Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

MMBTH11

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBTH11

MMBTH11 Hakkında

MMBTH11, onsemi tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörüdür. RF (radyo frekansı) uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 650MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde kullanılır. 25V maksimum collector-emitter gerilimi, 50mA maksimum collector akımı ve 225mW maksimum güç disipasyonu değerlerine sahiptir. SOT-23-3 yüzey monte paketinde sunulan MMBTH11, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. RF uydu haberleşme cihazları, mobil telefon alıcı devreleri, frekans çoğaltıcılar ve düşük gürültü amplifikatörlü tasarımlarda uygulanır. Kompakt yapısı sayesinde taşınabilir elektronik cihazlara entegre edilmeye uygundur. Üretim sona ermiş (obsolete) durumda olup, yedek parça temininde sınırlamalar bulunabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition 650MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 225mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok