Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBTH10RG
RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBTH10
MMBTH10RG Hakkında
MMBTH10RG, Rochester Electronics tarafından üretilen ultra yüksek frekans RF NPN transistörüdür. 450MHz transition frequency ile RF amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 50mA maksimum kolektör akımı ve 225mW güç sınırlaması ile düşük güçlü RF devrelerine, radyo frekans alıcı-verici modülleri, FM/AM radyo uygulamaları ve kablosuz iletişim sistemlerine uygundur. Surface Mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenli şekilde çalışabilir. 40V Vce breakdown voltajı ve 50 minimum hFE değeri ile tasarım esnekliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 450MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok