Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBTH10Q-7-F
RF TRANSISTOR SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBTH10Q
MMBTH10Q-7-F Hakkında
MMBTH10Q-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipinde RF transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 650MHz transition frequency ile RF ve yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılır. 50mA maksimum collector akımı, 25V collector-emitter breakdown voltajı ve 310mW maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle hafif güç transistör uygulamalarında tercih edilir. Minimum 60 hFE DC akım kazancı ile amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde yer alır. -65°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve askeri uygulamalar için uygundur. RF amplifikatörleri, mobil iletişim cihazları ve frekans dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 310mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok