Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBTH10LT3G
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBTH10
MMBTH10LT3G Hakkında
MMBTH10LT3G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. 650MHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25V collector-emitter breakdown voltajı ve 225mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile RF amplifikasyon, osilatör ve switching devrelerinde uygulanır. Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 4mA akımda 60 minimum DC current gain (hFE) sağlar. Kompakt boyutu ve düşük güç gereksinimi sayesinde mobil cihazlar, kablosuz iletişim sistemleri ve taşınabilir RF cihazlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok