Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBTH10LT1G
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBTH10
MMBTH10LT1G Hakkında
MMBTH10LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 650MHz transition frequency ile RF ve mikrodalgalı frekans uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 25V maksimum Vce derecelendirmesi ve 225mW güç yönetimi kapasitesi ile onu hafif güç RF amplifikatörleri, osilatörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, minimum 60 hFE DC akım kazancı sağlar ve düşük gürültülü RF devreleri için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok