Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBTH10
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBTH10
MMBTH10 Hakkında
MMBTH10, onsemi tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 650MHz geçiş frekansı ile yüksek hızlı anahtarlama ve RF amplifikasyon işlemlerine uygundur. Maksimum 50mA kollektör akımı ve 225mW güç derecelendirmesi ile mobil haberleşme, FM radyo, şehiriçi telsiz ve diğer RF sinyal işleme devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 25V maksimum collector-emitter geriliminde güvenli bir şekilde işletilir. Düşük gürültü karakteristiği sayesinde özellikle ön aşama amplifikatörü (LNA) ve kısa mesafe iletişim devreleri gibi hassas uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok