Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBTH10-FS
RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBTH10
MMBTH10-FS Hakkında
MMBTH10-FS, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörüdür. RF uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 650MHz transition frequency ile ultra yüksek frekans bandında çalışmaya uygun hale getirilmiştir. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan transistör, 0.05A kollektör akımı desteği sağlar ve -55°C ile +150°C arasında güvenilir işlem yapabilir. 225mW maksimum güç yönetimi, 25V Vce(br) breakdown voltajı ve minimum 60 DC current gain (hFE) özellikleri taşır. Yüksek frekans haberleşme sistemleri, RF amplifikatörler, switching uygulamaları ve frekans dönüştürücülerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok