Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBTH10-7-F
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBTH10
MMBTH10-7-F Hakkında
MMBTH10-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar RF transistörüdür. 650MHz transit frekansı ile RF ve mikrodalgı uygulamalarında kullanılan bu komponent, 25V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 50mA maksimum kolektor akımı ile çalışır. 300mW güç kapasitesine sahiptir. Minimum 60 DC akım kazancı (hFE) ile sinyal amplifikasyonu sağlar. SOT-23-3 (TO-236-3) surface mount paket tipinde sunulan MMBTH10-7-F, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve radyo frekans öncü safları, empedans eşleştirme devreleri ve düşük gürültü amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok