Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBTH10-4LT1G
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBTH10
MMBTH10-4LT1G Hakkında
MMBTH10-4LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 800MHz transition frequency ile RF devrelerinde sinyalin yükseltilmesi, anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde yer alır. Maksimum 25V collector-emitter gerilimi ve 225mW güç tüketimi sınırlamaları ile çalışan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Minimum 120 (hFE) akım kazancı, 4mA collector akımında ve 10V VCE'de sağlanır. Haberleşme sistemleri, RF ön-amplifikatörler ve düşük gücü gerektiren radyo frekans uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 800MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok