Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBTH10-4LT1
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBTH10
MMBTH10-4LT1 Hakkında
MMBTH10-4LT1, onsemi tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. SOT-23-3 (TO-236) SMD paketinde sunulan bu komponent, 25V kollektör-emitör breakdown voltajı ve 800MHz transition frekansı ile RF ve yüksek frekans uygulamaları için tasarlanmıştır. 120 (min) DC akım kazancı ve 225mW maksimum güç yönetimi kapasitesi ile radyo frekans amplifikatörleri, receiver front-end devrelerinde ve VHF/UHF band uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile harita ve endüstriyel ortamların emniyetli tasarımlanmıştır. Tabaka montaj teknolojisi otomatik üretim işlemlerine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 800MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok