Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBTA93LT1G

TRANS PNP 200V 0.5A SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBTA93

MMBTA93LT1G Hakkında

MMBTA93LT1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 200V collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. 300mW güç dağılım kapasitesine sahip olan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 50MHz transition frequency özellikleri ile düşük ve orta frekans uygulamalarında kullanılmaya uygundur. DC akım kazancı (hFE) 30mA ve 10V'da minimum 25 değerindedir. Bu transistör, anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı elektronik uygulamalarında tercih edilmektedir. Kompakt paketlemesi sayesinde yoğun devre tasarımlarında ekonomik bir çözüm sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok