Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBTA70LT1G

TRANS PNP 40V 0.1A SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBTA70

MMBTA70LT1G Hakkında

MMBTA70LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistöre (BJT) ait bir komponenttir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı pakete sahip olan bu transistör, maksimum 40V Vce derecelendirilmiş ve 100mA kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 125MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 225mW güç dağıtım kapasitesi bulunan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Düşük kolektör kesme akımı (100nA ICBO) ve 250mV saturasyon voltajı ile röle kontrollü, sinyal anahtarlaması ve küçük güç amplifikasyonu gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu parça üretim sonlandırılmış (obsolete) durumda olup, yeni tasarımlarda yerini başka türevlere bırakmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition 125MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok