Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA70LT1
TRANS PNP 40V 0.1A SOT-23
MMBTA70LT1 Hakkında
MMBTA70LT1, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SO-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paket içerisinde sunulmaktadır. 40V maksimum Vce ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama transistörüdür. 125MHz transition frequency ve 250mV saturasyon gerilimi ile hızlı darbe devrelerinde, sinyal amplifikasyonunda ve dijital lojik seviye kaydırma uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. DC current gain (hFE) değeri 5mA/10V koşullarında minimum 40 olup, genel amaçlı anahtarlama devrelerinin tasarımında yeterlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok