Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA56Q-7-F
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBTA56Q
MMBTA56Q-7-F Hakkında
MMBTA56Q-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 80V maksimum Vce ve 500mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 50MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350mW güç yönetimi kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur. Kompakt boyutu sayesinde yoğun PCB tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok