Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA56LT1HTSA1
TRANS PNP 80V 500MA SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBTA56
MMBTA56LT1HTSA1 Hakkında
MMBTA56LT1HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount (SMD) teknolojisine uygun SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. 80V collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, düşük sinyallerin amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 100MHz transition frequency ve 330mW maksimum güç tüketimi özellikleriyle, ses/video amplifikatörleri, kontrol devreleri ve sinyaller işleme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 150°C maksimum junction sıcaklığında stabil çalışma performansı sunmaktadır. Küçük boyutu ve düşük güç tüketimi nedeniyle mobil cihazlar ve taşınabilir uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok