Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA56LT1G-HFE
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
MMBTA56LT1G-HFE Hakkında
MMBTA56LT1G-HFE, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80V Vce darbelenme voltajı ve 500mA kolektör akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 225mW maksimum güç disipasyonu ve 50MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 100'dür (100mA, 1V koşullarında). -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında çalışır. Sinyal işleme, düşük güçlü anahtarlama ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok