Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA56LT1G-HFE
MMBTA56 - SS SOT23 DR XSTR PNP 8
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBTA56
MMBTA56LT1G-HFE Hakkında
MMBTA56LT1G-HFE, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP türü bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, maksimum 500mA kolektör akımı ve 80V kolektör-emitter breakdown voltajına sahiptir. 100mA, 1V koşullarında minimum 100 hFE DC akım kazancı sağlar. 50MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 225mW güç tüketimine sahip olan ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, düşük sinyalli aydınlatma kontrol devreleri, ses amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı transistor amplifier tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok