Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBTA56LT1G

TRANS PNP 80V 500MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBTA56

MMBTA56LT1G Hakkında

MMBTA56LT1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistörlü (BJT) komponenttir. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80V kolektör-emitör gerilimi ve 500mA kolektör akımı ile çalışmaktadır. 100 @ 100mA, 1V koşullarında 100 minimum DC akım kazancına sahiptir. Geçiş frekansı 50MHz'dir. Maksimum güç tüketimi 225mW olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş bir sıcaklık aralığını destekler. 250mV maksimum saturasyon gerilimi (10mA bazı akım, 100mA kolektör akımında) ile anahtarlama uygulamalarında verimli kullanım sağlar. Sinyal yükseltme, anahtarlama, düşük frekanslı amplifikasyon ve ses frekansı devrelerinde yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok