Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBTA56-7-F

TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBTA56

MMBTA56-7-F Hakkında

MMBTA56-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde gelen bu transistör, maksimum 500mA kollektör akımı ve 80V breakdvown voltajı ile çalışır. 300mW güç dağıtma kapasitesi ve 50MHz geçiş frekansı ile orta seviye uygulamalarda kullanılır. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 olup, doyum voltajı 250mV'dir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilmesi sayesinde endüstriyel ortamlarda ve gömülü sistemlerde sinyal anahtarlama, darbe amplifikasyonu ve düşük güçlü işaretleme devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok