Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA55LT1G
TRANS PNP 60V 500MA SOT23-3
MMBTA55LT1G Hakkında
MMBTA55LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 500mA maksimum kolektör akımı ve 60V maksimum kollektör-emitter gerilimi ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) 100mA kolektör akımında ve 1V kollektör-emitter geriliminde minimum 100 değerine sahiptir. 50MHz transition frekansı ile, düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve ses uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, maksimum 225mW güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Diyot logik, ön amplifikatör ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok