Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA55_R1_00001
NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSIS
MMBTA55_R1_00001 Hakkında
MMBTA55, PANJIT tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maximum 500mA collector akımı, 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 225mW güç tüketim kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur. 100MHz transition frekansı ile hızlı komütasyon gerekli devrelerde, düşük sıcak bağlantı voltajı (250mV @ 100mA) ile verimli anahtarlama gerçekleştirir. -55°C ile +150°C geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Kompakt SOT-23 yüzey montaj paketi ile modern PCB tasarımlarına entegre edilir. Hassas ölçüm ekipmanları, ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri ve genel endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok