Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA55-7-F
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBTA55
MMBTA55-7-F Hakkında
MMBTA55-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek hız anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 500mA kolektör akımı, 60V kritik aşağı voltajı ve 300mW güç dağılımı kapasitesi ile kompakt elektronik devrelerde kullanılmaya uygundur. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket formatında sunulan bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 50MHz geçiş frekansı ve 100 minimum DC akım kazancı sayesinde, ses frekansı ve düşük frekans uygulamalarında etkili bir çözümdür. Uydu cihazları, elektrik araçları ve tüketici elektroniğinde sık kullanılan bu transistör, hızlı anahtarlama gerektiren dijital ve analog devre tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok