Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA55-7
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBTA55
MMBTA55-7 Hakkında
MMBTA55-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 60V kolektör-emitter bozulma gerilimi ve 500mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 300mW güç dissipasyonu kapasitesine sahip bu transistör, 100 @ 100mA, 1V koşulunda 100 minimum akım kazancı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 50MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılabilir. Tüketici elektroniği, ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok