Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA55
0.5A, 60V, PNP, TO-236AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBTA55
MMBTA55 Hakkında
MMBTA55, Rochester Electronics tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, maksimum 500mA kollektör akımı ve 60V breakdown voltajı ile çalışır. 50MHz transition frequency ve 350mW maksimum güç derecelendirmesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 100mA, 1V koşullarında minimum 100 değerindedir. Düşük sinyal anahtarlama uygulamaları, ses frekansı amplifikasyon devreleri ve genel amaçlı PNP anahtarlama işlemlerinde kullanılır. Küçük boyutlu yüzey montaj paketi sayesinde kompakt elektronik tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok