Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA43LT1G
TRANS NPN 200V 0.05A SOT-23
MMBTA43LT1G Hakkında
MMBTA43LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. 200V maksimum Collector-Emitter breakdown voltajı ve 50mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 225mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve genel amaçlı transistör uygulamalarında yer alabilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. 50MHz transition frequency özelliği ile orta frekanslı devre uygulamalarında tercih edilebilir. ICBO (Collector cutoff current) maksimum 100nA olup, Vce saturation voltajı 500mV @ 20mA dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok