Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA20LT1G
TRANS NPN 40V 0.1A SOT-23
MMBTA20LT1G Hakkında
MMBTA20LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 40V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 125MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 225mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama, lojik seviyeleme ve RF uygulamaları gibi çeşitli devrelerde tercih edilir. 250mV saturation gerilimi ile verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 125MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok