Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA06Q-7-F
TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBTA06Q
MMBTA06Q-7-F Hakkında
MMBTA06Q-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80V collector-emitter voltajı ve 500mA collector akımı ile tasarlanmış olup, 350mW güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta-hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Geniş -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sağlar. Küçük SOT-23 paketlemesi sayesinde yoğun devre tasarımlarında yer tasarrufu sunmaktadır. Sinyal amplifikasyonu, kuvvetlendirme ve anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok