Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA06LT1G
TRANS NPN 80V 500MA SOT23-3
MMBTA06LT1G Hakkında
MMBTA06LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistöründür. SOT-23-3 (TO-236) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80V kollektör-emitör gerilimi ve 500mA kollektör akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılan transistör, DC akım kazancı (hFE) 100mA, 1V şartlarında minimum 100'dür. 225mW maksimum güç tüketimine sahip olan MMBTA06LT1G, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C) güvenilir performans sunar. RF amplifikatörler, hızlı anahtar devreleri, audio uygulamaları ve çeşitli sinyal işleme devreleri gibi küçük sinyal amplifikasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici ürünlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok