Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA05LT3G
NPN BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- MMBTA05
MMBTA05LT3G Hakkında
MMBTA05LT3G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörtür (BJT). Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mA collector akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ve 225mW maksimum güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanıma uygundur. DC current gain (hFE) minimum 100 değerinde sağlanır. -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, kontrol uygulamalarında ve transistör mantık devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok