Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA05LT3G
TRANS NPN 60V 500MA SOT23
MMBTA05LT3G Hakkında
MMBTA05LT3G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponentin maksimum kolektor akımı 500 mA ve maksimum kolektor-emitter gerilimi 60 V olup, 225 mW güç yayabilir. 100 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Minimum DC akım kazanç (hFE) 100 @ 100 mA, 1 V koşullarında elde edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, genel amaçlı sinyal anahtarlama, darbe işleme, düşük-orta güçlü amplifikasyon ve dijital mantık arayüz uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Küçük paketi ve düşük maliyet profili sayesinde tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devrelerinde tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok