Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBTA05LT1G

TRANS NPN 60V 500MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBTA05

MMBTA05LT1G Hakkında

MMBTA05LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, maksimum 500mA kolektör akımı ve 60V Vce breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency özelliğine sahip olan transistör, 225mW maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı 100mA ve 1V Vce'de minimum 100'dür. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük seviye sinyallerin anahtarlanması, amplifikasyon ve lojik devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Aktif bileşen olarak piyasada mevcuttur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok