Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
MMBTA05_R1_00001
NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSIS
MMBTA05_R1_00001 Hakkında
PANJIT MMBTA05 NPN bipolar junction transistör (BJT), yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış tekil komponenttir. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile güç anahtarlama devrelerinde, amplifikasyon ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 100 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 225mW maksimum güç tüketimi ile enerji yönetimi gerektiren tasarımlara uygundur. DC current gain (hFE) değeri 100 @ 100mA koşullarında 100 V/mA'tir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok