Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBTA05-7-F

TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBTA05

MMBTA05-7-F Hakkında

MMBTA05-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında kullanılmaya uygun olan bu komponent, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 100 MHz transition frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 300mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile sınırlı enerji bütçesine sahip devrelerde de yer alabilir. Minimum 100 hFE DC akım kazancı ile güvenilir amplifikasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanım sağlamaktadır. Sinyal amplifikasyon, hızlı anahtarlama ve lojik seviye dönüştürme gibi genel amaçlı uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok