Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

MMBTA05

0.5A, 60V, NPN, TO-236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
MMBTA05

MMBTA05 Hakkında

MMBTA05, Rochester Electronics tarafından üretilen düşük güçlü NPN bipolar junction transistörüdür. SOT-23-3 (TO-236AB) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mA kollektör akımı ve 60V collector-emitter gerilimi ile çalışabilir. 350mW güç sınırlaması ile basmalı tuşlar, sinyal işleme, anahtar uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama işlemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 100MHz transition frequency'ye sahip bu transistör, gömülü sistemler ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. DC current gain (hFE) minimum 100, Vce saturation maksimum 250mV değerleriyle stabil komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 350 mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok