Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
MMBT918_R1_00001
VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- MMBT918
MMBT918_R1_00001 Hakkında
MMBT918, PANJIT tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN silikon transistördür. VHF ve UHF bandında çalışan RF uygulamalarına yönelik tasarlanmıştır. 600MHz transition frequency ve 50mA maksimum collector akımı ile radyo frekans amplifikatörleri, mixer devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Kompakt SOT-23 surface mount paketi ve -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve tüketici uygulamalarında tercih edilir. 15V maksimum CE breakdown voltajı ve 225mW güç yönetimi kapasitesi ile ham düşük sinyal RF devrelerinde uygun performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
| Frequency - Transition | 600MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok